企业简介
普光科技有限公司成立于1999年，是由香港普基发展集团投资设立的高新科技独资企业。公司于广州经济技术开发区和番禺区拥有两个厂房，共占地四万二千七百平方米，总投资额约二亿港元。公司成立初期，主要为国内外知名
普光科技（广州）有限公司的工商信息
- 440108400010083
- 91440113718199266F
- 存续
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2000-03-14
- 陈湖昌
- 1300万美元
- 2000-03-14 至 永久
- 广州市番禺区工商行政管理局
- 广州番禺区石基镇官涌村“正造”（9号厂房）首层
- 电子元件及组件制造;销售本公司生产的产品（该经营范围为外商投资企业经营项目；涉及许可经营的产品需取得许可证后方可经营）;(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
普光科技（广州）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101604715A | 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 | 2009.12.16 | 本发明公开一种氮化镓基发光二极管芯片，从下往上依次包括蓝宝石衬底、N型氮化镓、有源区、P型氮化镓、透 |
| 2 | CN301004887D | 芯片(一) | 2009.09.09 | 该外观设计产品后视图无设计要点，省略后视图。 |
| 3 | CN300961206D | 芯片(四) | 2009.07.15 | 该外观设计产品后视图无设计要点，省略后视图。 |
| 4 | CN101436630A | 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 | 2009.05.20 | 本发明涉及一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法，制作方法包括下述步骤：在外延片表面规划出晶粒区域以 |
| 5 | TW200921930 | 氮化镓基发光二极体晶片透明导电层及其制作方法 | 2009.05.16 | 一种氮化镓基发光二极体晶片透明导电层及其制作方法，透明导电层是在ZnO中掺杂铝、铟或镓中的一种金属， |
| 6 | CN101420009A | 发光二极管金电极的制备方法 | 2009.04.29 | 本发明公开一种发光二极管金电极的制备方法，该方法是先依次蒸镀具有欧姆接触的金属层和一层薄金层，再采用 |
| 7 | CN300834546D | 芯片(三) | 2008.10.01 | 该外观设计产品后视图无设计要点，省略后视图。 |
| 8 | CN300834547D | 芯片(二) | 2008.10.01 | 该外观设计产品后视图无设计要点，省略后视图。 |
| 9 | TW200834957 | 高亮度氮化镓发光二极体晶片及其制造方法 | 2008.08.16 | 本发明系有关于一种高亮度氮化镓发光二极体晶片及其制造方法，该高亮度氮化镓发光二极体晶片，包括N型Ga |
| 10 | CN101197417A | 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 | 2008.06.11 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该芯片包括衬底，在衬底的底面蒸镀有反射膜，该反射膜包括电介质反 |
| 11 | CN101123290A | 一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法 | 2008.02.13 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法，该透明导电膜是由Ni/ITO、Al/I |
| 12 | CN101123293A | 氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法 | 2008.02.13 | 本发明涉及一种氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法，该氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接 |
| 13 | CN1851941A | 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法 | 2006.10.25 | 本发明涉及一种以提高氮化镓发光二极管芯片P型欧姆接触性能为目的工艺方法。采用磁控溅镀将Ni材料按照纳 |
| 14 | CN1770400A | 一种半导体器件表面成型方法 | 2006.05.10 | 本发明涉及一种同时定义半导体器件表面保护层和电极的成形方法，半导体器件表面布有导电电路，在该表面镀上 |
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